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釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive S...
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何威霆
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釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:
釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = / 何威霆撰
其他題名:
Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /
其他題名:
Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices
作者:
何威霆
其他作者:
林群傑
出版者:
[花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], : 民99[2010],
面頁冊數:
11,86面 : 圖,表 ; 30公分
附註:
指導教授:林群傑
標題:
非破壞性讀取 -
電子資源:
http://etd.lib.ndhu.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0810110-120202PDF全文
釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /
何威霆
釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 =
Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices / Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices何威霆撰 - [花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], 民99[2010] - 11,86面 : 圖,表 ; 30公分
指導教授:林群傑
碩士論文--國立東華大學電機工程學系,2010
參考書目:面81-86Subjects--Topical Terms:
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非破壞性讀取
釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /
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館藏地:
全部
五樓論文區 (5F Theses & Dissertations)
出版年:
卷號:
館藏
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GE0111115
五樓論文區 (5F Theses & Dissertations)
03.不外借_N
本校碩士論文
T 448.6 2151 2010
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