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氧化鋅製成含pn結憶阻結構之電阻轉換 = = Resistance Sw...

陳俏蒙

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博客來

氧化鋅製成含pn結憶阻結構之電阻轉換 = = Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a p-n Junction /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	氧化鋅製成含pn結憶阻結構之電阻轉換 =/ 陳俏蒙撰
其他題名:	Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a p-n Junction /
其他題名:	Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a pn Junction
作者:	陳俏蒙
其他作者:	黃玉林
出版者:	花蓮縣 :東華大學物理學系, : 2017,
面頁冊數:	41面 :圖 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2022.8.1
電子資源:	http://134.208.29.93/cgi-bin/cdrfb3/gsweb.cgi?o=dstdcdr&i=ssid=%22610414208%22.&電子全文(依作者授權而定)

氧化鋅製成含pn結憶阻結構之電阻轉換 = = Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a p-n Junction /
陳俏蒙

氧化鋅製成含pn結憶阻結構之電阻轉換 =Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a p-n Junction /Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a pn Junction陳俏蒙撰 - 花蓮縣 :東華大學物理學系, 2017 - 41面 :圖 ;30公分

校內電子全文開放日期 2022.8.1

碩士Master論文--國立東華大學物理學系

含參考書目Subjects--Index Terms:

氧化鋅

氧化鋅製成含pn結憶阻結構之電阻轉換 = = Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a p-n Junction /
LDR:01175nam0 2200301 450 001 2087179
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020 $q (平裝)
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246 3 1 $a Resistance Switching in ZnO-Based Memristors with a pn Junction
260 # $a 花蓮縣 : $b 東華大學物理學系, $c 2017
300 $a 41面 : $b 圖 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2022.8.1
500 $a 校外電子全文開放日期 2022.8.1
500 $a 國圖全文開放日期 2022.8.1
500 $a 畢業學年度: 105
500 $a 指導教授: 黃玉林
502 $a 碩士Master論文--國立東華大學物理學系
504 $a 含參考書目
653 0 # $a 氧化鋅
653 0 # $a p-n結
653 0 # $a 憶阻結構
653 0 # $a 電阻轉換
653 0 # $a Resistance Switching
653 0 # $a ZnO-Based Memristors with a p-n Junction
700 1 # $a 黃玉林 $e 指導 $3 3036233
700 1 # $a Yue-Lin Huang $e 指導 $3 3215792
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