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以微波電漿化學氣相沉積法合成立方氮化硼與立方氮化硼/鑽石薄膜之研究 = ...

屈守恕

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以微波電漿化學氣相沉積法合成立方氮化硼與立方氮化硼/鑽石薄膜之研究 = = Growth of c-BN and c-BN/diamond films via microwave plasma chemical vapor deposition /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	以微波電漿化學氣相沉積法合成立方氮化硼與立方氮化硼/鑽石薄膜之研究 = / 屈守恕撰
Reminder of title:	Growth of c-BN and c-BN/diamond films via microwave plasma chemical vapor deposition /
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Author:	屈守恕
Published:	[花蓮縣] : 國立東華大學材料科學與工程學系, : 民93[2004],
Description:	10,91面 : 圖,表 ; 30公分
Notes:	指導教授︰翁明壽
Subject:	立方氮化硼 -
Online resource:	http://134.208.10.124/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0713104-151704PDF全文

以微波電漿化學氣相沉積法合成立方氮化硼與立方氮化硼/鑽石薄膜之研究 = = Growth of c-BN and c-BN/diamond films via microwave plasma chemical vapor deposition /
屈守恕

以微波電漿化學氣相沉積法合成立方氮化硼與立方氮化硼/鑽石薄膜之研究 = Growth of c-BN and c-BN/diamond films via microwave plasma chemical vapor deposition / Growth of c-BN and c-BN/diamond films via microwave plasma chemical vapor deposition屈守恕撰 - [花蓮縣] : 國立東華大學材料科學與工程學系, 民93[2004] - 10,91面 : 圖,表 ; 30公分

指導教授︰翁明壽

碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系,2004

參考書目︰面87-91Subjects--Topical Terms:

2409556
立方氮化硼

以微波電漿化學氣相沉積法合成立方氮化硼與立方氮化硼/鑽石薄膜之研究 = = Growth of c-BN and c-BN/diamond films via microwave plasma chemical vapor deposition /
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