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30奈米以下絕緣體上多閘極金氧半場效電晶體模擬之研究 = = Inve...

謝永裕

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博客來

30奈米以下絕緣體上多閘極金氧半場效電晶體模擬之研究 = = Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	30奈米以下絕緣體上多閘極金氧半場效電晶體模擬之研究 = / 謝永裕著
Reminder of title:	Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation /
remainder title:	Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation
Author:	謝永裕
other author:	劉耿銘
Published:	[花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], : 民100[2011],
Description:	62面 : 圖,表 ; 30公分
Notes:	指導教授：劉耿銘

30奈米以下絕緣體上多閘極金氧半場效電晶體模擬之研究 = = Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation /
謝永裕

30奈米以下絕緣體上多閘極金氧半場效電晶體模擬之研究 = Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation / Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation謝永裕著 - 初版 - [花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], 民100[2011] - 62面 : 圖,表 ; 30公分

指導教授：劉耿銘

碩士論文-- 國立東華大學電機工程學系, 2010

參考書目：面55-57

贈書Subjects--Index Terms:

元件模擬

30奈米以下絕緣體上多閘極金氧半場效電晶體模擬之研究 = = Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation /
LDR:01162nam a2200325 ir4500 001 990036
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245 1 0 $a 30奈米以下絕緣體上多閘極金氧半場效電晶體模擬之研究 = $b Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation / $c 謝永裕著
246 1 1 $a Investigation of the Dimension Effects of 30-nm Below Multiple-Gate SOI MOSFETs by TCAD Simulation
250 $a 初版
260 $a [花蓮縣壽豐鄉] : $b [國立東華大學電機工程學系], $c 民100[2011]
300 $a 62面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 指導教授：劉耿銘
502 $a 碩士論文-- 國立東華大學電機工程學系, 2010
504 $a 參考書目：面55-57
504 $a 含附錄
563 $a 贈書
653 0 $a 元件模擬
653 0 $a 多閘極
653 0 $a 金氧半場效電晶體
653 0 $a 電腦輔助模擬軟體
653 0 $a 絕緣體上矽電晶體
653 0 $a device simulation
653 0 $a multiple-gate
653 0 $a MOSFET
653 0 $a TCAD
653 0 $a SOI
700 1 $a 劉耿銘 $e 指導教授 $3 2983440