東華大學圖書館 |

語系: 繁體中文

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

InAlAs/InGaAs 應力型變晶高電子遷移率電晶體之光學特性研究 ...

陳銘凱

FindBook

Amazon

博客來

InAlAs/InGaAs 應力型變晶高電子遷移率電晶體之光學特性研究 = = Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	InAlAs/InGaAs 應力型變晶高電子遷移率電晶體之光學特性研究 = / 陳銘凱撰
其他題名:	Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain /
其他題名:	Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain
作者:	陳銘凱
其他作者:	何清華
出版者:	[花蓮縣壽豐鄉 : 國立東華大學光電工程研究所], : 民98[2009],
面頁冊數:	6,49面 : 圖,表 ; 30公分
附註:	指導教授︰何清華
標題:	光子調制反射光譜 -
電子資源:	http://etd.lib.ndhu.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0721109-143937PDF全文

InAlAs/InGaAs 應力型變晶高電子遷移率電晶體之光學特性研究 = = Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain /
陳銘凱

InAlAs/InGaAs 應力型變晶高電子遷移率電晶體之光學特性研究 = Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain / Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain陳銘凱撰 - [花蓮縣壽豐鄉 : 國立東華大學光電工程研究所], 民98[2009] - 6,49面 : 圖,表 ; 30公分

指導教授︰何清華

碩士論文--國立東華大學光電工程研究所,2009

參考書目︰面47-49Subjects--Topical Terms:

2528450
光子調制反射光譜

InAlAs/InGaAs 應力型變晶高電子遷移率電晶體之光學特性研究 = = Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain /
LDR:00959nam 2200193 i 4500 001 802315
005 20110201005004.0
008 170419n2009uuuuch e b 000 u chi d
035 $a NDHU9809328
035 $a 802315
040 $a NDHU $b chi $e ccr
066 $c $1
100 1 $a 陳銘凱 $e 撰 $3 2879918
245 1 0 $a InAlAs/InGaAs 應力型變晶高電子遷移率電晶體之光學特性研究 = $b Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain / $c 陳銘凱撰
246 1 1 $a Optical characterization of InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron mobility transistors with tensile and compressive strain
260 $a [花蓮縣壽豐鄉 : $b 國立東華大學光電工程研究所], $c 民98[2009]
300 $a 6,49面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 指導教授︰何清華
502 $a 碩士論文--國立東華大學光電工程研究所,2009
504 $a 參考書目︰面47-49
650 7 $a 光子調制反射光譜 $2 csht $3 2528450
650 7 $a 光子激發光 $2 csht $3 2560512
650 7 $a 變晶型電晶體 $2 csht $3 2879920
700 1 $a 何清華 $e 指導教授 $3 2879919
710 2 $a 國立東華大學 $b 光電工程研究所 $3 2879908
856 7 $u http://etd.lib.ndhu.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0721109-143937 $z PDF全文 $2 http