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液滴磊晶法成長氮化銦鎵量子點於矽基板上與結構分析 = = Microst...

許廷毓

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博客來

液滴磊晶法成長氮化銦鎵量子點於矽基板上與結構分析 = = Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	液滴磊晶法成長氮化銦鎵量子點於矽基板上與結構分析 =/ 許廷毓撰
Reminder of title:	Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy /
remainder title:	Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy
Author:	許廷毓
other author:	余英松
Published:	[花蓮縣] :[國立東華大學材料科學與工程學系], : 2021,
Description:	[16], 91面 :圖,表 ;30公分
Notes:	校內電子全文開放日期 2021/09/06
Subject:	電漿輔助式分子束磊晶系統 -
Online resource:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610922108.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

液滴磊晶法成長氮化銦鎵量子點於矽基板上與結構分析 = = Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy /
許廷毓

液滴磊晶法成長氮化銦鎵量子點於矽基板上與結構分析 =Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy /Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy許廷毓撰 - [花蓮縣] :[國立東華大學材料科學與工程學系], 2021 - [16], 91面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2021/09/06

碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3380468
電漿輔助式分子束磊晶系統

液滴磊晶法成長氮化銦鎵量子點於矽基板上與結構分析 = = Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy /
LDR:01115nam a2200253 a 4500 001 2254622
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246 3 1 $a Microstructures of InGaN quantum dots grown on Si (111) by droplet epitaxy
260 # $a [花蓮縣] : $b [國立東華大學材料科學與工程學系], $c 2021
300 $a [16], 91面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2021/09/06
500 $a 校外電子全文開放日期 2022/09/06
500 $a 國圖全文開放日期 2022/09/06
500 $a 畢業學年度: 109
500 $a 指導教授: 余英松
502 $a 碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系
504 $a 含參考書目
650 # 7 $a 電漿輔助式分子束磊晶系統 $2 lcstt $3 3380468
650 # 7 $a 液滴磊晶模式 $2 lcstt $3 3534185
650 # 7 $a 氮化銦鎵 $2 csht $3 2439821
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650 # 7 $a Molecular beam epitaxy $2 lcstt $3 3534186
650 # 7 $a Droplet epitaxy $2 lcstt $3 3534187
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650 # 7 $a Quantum dots $3 2144328
700 1 # $a 余英松 $e 指導 $3 3215939
700 1 # $a Yu, Ing-Song $e 指導 $3 3380466
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